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公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
用电源IC立即驱动MOS管
一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定：
（1）开关管启用瞬间，驱动电路应能输出非常大的电流，使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值，确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。
（2）电源开关通断期内，驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。
（3）关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，确保开关管能迅速关闭。
（4）驱动电路构造简易靠谱、耗损小。
（5）依据具体情况开展防护。
在控制模块电源中，常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大，电源IC內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。
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电源作为电子设备的配电元器件，除开特性要考虑供电系统设备的规定以外，其自己的防护措施也很重要，如过电流、过电压、超温维护等。一旦电源没有过流保护设计方案，在输出短路故障或过载的时候会造成电源损坏，也有很有可能进一步造成电子设备毁坏，乃至造成实际操作工作人员的触电事故及火情等安全事故，而电源的过流保护跟使用的MOS管相关。
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伴随着科技的不断发展，电子设备的设计工程师务必持续追随智能科技的脚步，为商品选择更为合适的电子元器件，才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件，因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。
在mos管的型号选择方法中，从结构形式（N型或是P型）、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i名品牌，应对不一样的产品运用，要求也跟着不一样，下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。
