精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。背靶材料：无氧铜(OFC)–目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
中国的工业，由于长期处于计划经济体制内，发展比较缓慢，对于金银而言，可以说是历史悠久，源远流长了，但在改革开放前，没有纳入国家计划渠道的，直至2002年10月30日上海黄金正式开业，才宣告了计划经济时金银管理条例的失效，而铂族金属工业更是起步晚、技术落后，直到改革开放以后，才有了突飞猛进的发展，但与国际上先进的国家相比较，依然是落在人家后面，因此在中国无论是的投资储备需求，还是实际的应用需求。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。
背靶材料：
无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
